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JB/T 6064--92滲透探傷用鍍鉻試塊技術(shù)條件
日期：2025-04-30 18:02
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摘要：
JB/T 6064--92滲透探傷用鍍鉻試塊技術(shù)條件
中 華 人 民 共 和 國 機 械行 業(yè) 標(biāo) 準(zhǔn)
JB/T6064--92
滲透探傷用鍍鉻試塊 技術(shù)條件
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1 主題內(nèi)容與適用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)對滲透檢驗所使用的Ｂ、Ｃ兩種鍍鉻試塊規(guī)定了*基本的要求。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于滲透檢驗Ｂ、Ｃ兩種鍍鉻試塊的生產(chǎn)和出廠質(zhì)量的要求。
2 技術(shù)要求
2.1 Ｂ型試塊
2.1.1 Ｂ型鍍鉻試塊的形狀及尺寸
Ｂ型鍍鉻試塊的形狀及尺寸見圖１。
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│* │ │ │
│ │ . . │ │
│ * │. .. │ │
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│* │ . . │ 152
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│ * │ . │ │
│ │ . . │ │
│* │ . . │ │
│ │. . .│ │
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│ │2--3
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圖1Ｂ型鍍鉻試塊
2.1.2 試塊的材料及制作
a.Ｂ型鍍鉻試塊的基體材料應(yīng)是不銹鋼板（如1Ｃr18Ｎi9Ｔi，Ｃr17Ｎi2等）。
b.試塊正面（工作面）沿長邊分成兩部分：一側(cè)有面積為152mmｘ45mm的鍍鉻帶，此鍍鉻面上采用布氏硬度計在其背面施加不同負(fù)荷而形成的5個輻射狀裂紋區(qū)，其位置按25mm的間隔并按大小順序排列（見圖1）；與鍍鉻帶相鄰的另一側(cè)是0.2mm的細(xì)砂噴砂面，噴砂時的氣壓為0.4ＭＰａ，噴砂后的底色應(yīng)均勻。
C.在試塊一端中部鉆有懸掛用的Φ6mm通孔。
d.試塊上的鍍鉻層應(yīng)細(xì)密均勻，鍍層厚度應(yīng)為20--60μm。
2.1.3 質(zhì)量要求
a.當(dāng)用不同靈敏度的滲透劑系統(tǒng)進(jìn)行檢驗時，試塊上可顯示的裂紋區(qū)數(shù)應(yīng)如表1所示。
表1
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┃ 滲透劑系統(tǒng)的靈敏度 │ 可顯示的裂紋區(qū)數(shù) ┃
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┃ 低靈敏度 │ 2--3 ┃
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┃ 中靈敏度 │ 3--4 ┃
┠────────────┼────────────┨
┃ 高靈敏度 │ 4--5 ┃
┠────────────┼────────────┨
┃ 超高靈敏度 │ 5 ┃
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b.當(dāng)用高靈敏度或超高靈敏度的滲透劑系統(tǒng)進(jìn)行檢驗時，試塊上各裂紋區(qū)由大到小的直徑顯示應(yīng)如表2所示。
表2
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┃ 次 序 │ 1 │ 2 │ 3 │ 4 │ 5 ┃
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┃ 直 徑 │ 4.5--5.5│3.5--4.5│ 2.4--3.0│ 1.6--2.0│ 0.8--1.0┃
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C.試塊鍍鉻帶的表面粗糙度值Ｒａ應(yīng)為0.63--1.25μm；噴砂后表面粗糙度值Ｒａ應(yīng)為1.25--2.5μm。
2.2 Ｃ型試塊
2.2.1 Ｃ型鍍鉻試塊的形狀及尺寸
Ｃ型鍍鉻試塊的形狀及尺寸見圖2。
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┠───────┨ │
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┠───────┨ │
┠───────┨ │
┠───────┨ 100
┠───────┨ │
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┃ ┃│0.4或(1.0)
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圖2Ｃ型鍍鉻試塊
2.2.2 試塊的材料及制作
a.Ｃ型鍍鉻試塊是在0.4或1mm厚的黃銅板上鍍10--50μm厚的鎳鍍層，然后再鍍上一層很薄的鉻鍍層（1μm左右）。
b.將試塊拉伸或在壓彎機上彎曲（鍍面朝外），使鍍層產(chǎn)生裂紋，然后將曲面整平而制成。
C.由于裂紋的深度與鍍層的厚度一致，可通過調(diào)整鍍層的厚度來控制裂紋的深度。
2.2.3 質(zhì)量要求
Ｃ型鍍鉻試塊每套有3塊，其裂紋等級、裂紋深度和寬度如表3所示。
表 3 μm
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┃ 裂紋等級│粗裂紋Ｃ1│中裂紋Ｃ2│細(xì)裂紋Ｃ3┃
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┃ 深度Ｄ │ 40--50 │ 20--30 │ <13 ┃
┠─────┼─────┴─────┴─────┨
┃ 寬度Ｗ │ 0.1--5 ┃
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3 標(biāo)志、包裝和貯存
3.1 標(biāo)志
試塊背面應(yīng)磨光并用蝕刻法印上標(biāo)志，內(nèi)容應(yīng)包括試塊名稱、型號、編號、生產(chǎn)單位和日期等。
3.2 包裝
3.2.1成品試塊應(yīng)裝在具有一定剛性的盒內(nèi)，盒內(nèi)應(yīng)有軟性襯墊和固定試塊的結(jié)構(gòu)。
3.2.2盒內(nèi)應(yīng)附有試塊的檢定合格證書、使用和維護說明以及顯示裂紋照片等。
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附加說明:
本標(biāo)準(zhǔn)由**無損檢測標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。
本標(biāo)準(zhǔn)由機械電子工業(yè)部上海材料研究所歸口。
本標(biāo)準(zhǔn)由航空航天工業(yè)部第六二一研究所負(fù)責(zé)起草。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人孫殿壽、王海峰。
機械電子工業(yè)部1992-05-05批準(zhǔn) 1993-07-01實施
